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無(wú)錫創(chuàng)想分析儀器有限公司

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常見(jiàn)直讀光譜儀探測(cè)器分類(lèi)

發(fā)布時(shí)間:2020-12-14 09:30:36         點(diǎn)擊:3697

       直讀光譜儀可以選擇探測(cè)器的CCD或者CMOS,探測(cè)器的重要性不言而喻,探測(cè)器是幫助人類(lèi)探索我們看不到的光譜世界的重要器件,探測(cè)器是眼睛,幫助我們探測(cè)看不見(jiàn)的光譜線,得到元素的含量。探測(cè)器的存在保證了光譜定性分析:通過(guò)特征譜線的位置(波長(zhǎng))進(jìn)行定性。由于每個(gè)元素的特征發(fā)射譜線不一樣,通過(guò)幾條特征譜線是否存在就可以確定樣品中是否存在該元素。定性分析時(shí),所給出的譜圖如下圖所示,實(shí)際上就是全波長(zhǎng)范圍內(nèi)的原子發(fā)射光譜圖(線狀譜圖)定量分析:通過(guò)特征譜線的強(qiáng)度進(jìn)行定量。下面介紹的集中傳感器,都是常見(jiàn)的類(lèi)型。CCD / CMOS / NMOS圖像傳感器,PMT傳感器等等。


光譜儀探測(cè)器

直讀光譜儀探測(cè)器

直讀光譜儀探測(cè)器

光電倍增管(PMT

       光電倍增管(PMT)適用于有高速、低噪聲和高增益工作需求的應(yīng)用。PMT包括裸管、組件和模塊,可提供擁有不同光敏面、不同光譜響應(yīng)范圍等豐富的產(chǎn)品。

CCD

       CCD線陣圖像傳感器采用光譜儀所需的垂直長(zhǎng)像素。電荷復(fù)位時(shí)間(以像素為單位):最小1μs。在紫外線區(qū)域具有高靈敏度(光譜響應(yīng)范圍:2001000 nm,低暗電流。

CMOS 面陣圖像傳感器

       近紅外高靈敏度有源像素傳感器是一種在近紅外區(qū)域具有高靈敏度的CMOS面積圖像傳感器。 此外,可以以75/秒的最大速率進(jìn)行成像。 它是一種全數(shù)字I / O型,內(nèi)置定時(shí)發(fā)生器,偏置發(fā)生器,放大器和A / D轉(zhuǎn)換器。

NMOS晶體管

       NMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體,而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有PMOS管和NMOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOSPMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路,即CMOS電路。
PMOS晶體管

        PMOS晶體管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對(duì)值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過(guò)程長(zhǎng),加之器件跨導(dǎo)小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見(jiàn)N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

       我們可以看到CMOS的圖像傳感器非常多,是眾多光學(xué)器件集團(tuán)的研發(fā)要點(diǎn)。今后跟隨者市場(chǎng)的變化,光譜儀行業(yè)也會(huì)革新,運(yùn)用到最新的技術(shù)最光寫(xiě)模塊進(jìn)行調(diào)試。

 

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