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       CMOS直讀光譜儀就是探測(cè)器從CCD換成了CMOS探測(cè)器，因?yàn)槟承┰蚴袌?chǎng)的發(fā)展方向是CMOS。在之后的市場(chǎng)較量中，隨著科技的不斷發(fā)展CMOS技術(shù)會(huì)有更大的發(fā)展。

       CMOS同時(shí)可指互補(bǔ)式金氧半元件及制程。在同樣的功能需求下。

       自1958年美國(guó)德克薩斯儀器公司（TI）發(fā)明集成電路（IC）后，隨著硅平面技術(shù)的發(fā)展，二十世紀(jì)六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標(biāo)志著由電子管和晶體管制造電子整機(jī)的時(shí)代發(fā)生了量和質(zhì)的飛躍。

       MOS是：金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱(chēng)MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱(chēng)為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC（Complementary MOS Integrated Circuit）。

創(chuàng)想CMOS直讀光譜儀

       數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類(lèi)型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門(mén)靜態(tài)功耗在毫微瓦（nw）數(shù)量級(jí)。

       早期的CMOS元件和主要的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手BJT相比，很容易受到靜電放電（ElectroStatic Discharge,ESD）的破壞。而新一代的CMOS芯片多半在輸出入接腳（I/O pin）和電源及接地端具備ESD保護(hù)電路，以避免內(nèi)部電路元件的閘極或是元件中的PN接面（PN-Junction）被ESD引起的大量電流燒毀。

       CMOS由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對(duì)MOS組成的門(mén)電路在瞬間要么PMOS導(dǎo)通、要么NMOS導(dǎo)通、要么都截止，比線(xiàn)性的三極管(BJT）效率要高得多，因此功耗很低，因此，計(jì)算機(jī)里一個(gè)紐扣電池就可以給它長(zhǎng)時(shí)間地提供電力。利用CMOS我們把攝像機(jī)，電腦，電視，平板等等變小變薄，于是CMOS慢慢進(jìn)入光學(xué)光譜，改變我們的生活。廠商不進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)就會(huì)失去先機(jī)。